 |
DC ve Yüksek Gradyanlar İçin Kullanılan, Aşırı Gerilim Tutucular İçin Çinko Metal Oksit Varistör Blokları
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Dongguan ， Guangdong, Çin |
| Marka adı: | UCHI |
| Sertifika: | SGS.UL |
| Model numarası: | D42*H20mm |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 5000 pcs |
|---|---|
| Fiyat: | pazarlık edilebilir |
| Ambalaj bilgileri: | Toplu |
| Teslim süresi: | 5-7 gün |
| Ödeme koşulları: | T/T, Paypal, Western Union, Para gramı |
| Yetenek temini: | Ayda 5000.000.000 ADET |
|
Detay Bilgi |
|||
| Vurgulamak: | Çinko metal oksit varistör blokları,Aşırı gerilim tutucu varistör blokları,DC yüksek gradyan varistörü |
||
|---|---|---|---|
Ürün Açıklaması
DC ve Yüksek Eşitlikler için Kullanılan Sürtünme Tutsakları İçin Çinko Metal Oksit Varistor Blokları
Çinko oksit Varistor, geriye dönük Zener diyotlarına benzer elektrik özelliklerine sahip voltaj bağımlı, doğrusal olmayan cihazlardır.Temel olarak ZNO'dan, Bismut gibi diğer metal oksitlerinin küçük eklemelerinden oluşur., Kobalt, Magnez ve diğerleri. The Metal Oxide Varistor or "MOV" is sintered during the manufacturing operation into a ceramic semiconductor and results in a crystalline microstructure that allows MOVs to dissipate very high levels of transient energy across the entire bulk of the deviceBu nedenle, MOV'ler tipik olarak sanayi veya AC hattı uygulamalarında bulunan yıldırım ve diğer yüksek enerji geçicilerini bastırmak için kullanılır.MOV'ler düşük voltajlı güç kaynakları ve otomotiv uygulamaları gibi DC devrelerinde kullanılırÜretim süreci, en yaygın olan radyal kurşunlu disk ile birçok farklı form faktörüne izin verir.
Çinko oksit varistor vücut yapısı, P ̇ N bağlantı yarı iletken özellikleri sağlayan, tanelerle ayrılmış iletken ZNO tanelerinden oluşan bir matristen oluşur.Bu sınırlar düşük voltajlarda iletkenliği bloke etmekten sorumludur ve daha yüksek voltajlarda doğrusal olmayan elektrik iletkenliğinin kaynağıdır.
MOV'nin çekici bir özelliği, elektrik özelliklerinin cihazın büyük kısmıyla ilişkili olmasıdır.Seramik her ZnO tanesi tanesi sınırında bir yarı iletken bağlantısı var gibi davranır.
Varistorlar, çinko oksit bazlı tozları seramik parçalara şekillendirerek ve sinterleyerek üretilir.
ZnO tanesi sınırları açıkça gözlemlenebilir. Doğrusal olmayan elektrik davranışı her yarı iletken ZnO tanesinin sınırında meydana geldiğinden,Varistor, birçok seri ve paralel bağlantılardan oluşan "çok bağlantılı" bir cihaz olarak kabul edilebilir.Cihazın davranışları seramik mikrostrukturunun ayrıntılarına göre analiz edilebilir. Ortalama tahıl boyutu ve tahıl boyutu dağılımı elektrik davranışında önemli bir rol oynar.
Ürün Bilgisi:
Tip: varistor D42*H20mm
Malzeme: Metal oksit varistor
Tutuklama sınıflandırması DH (IEC standardı) başvurusu
| Spesifikasyon | Çapraz | Kalınlığı | DC referans voltajı (U1mA) | Geri kalan gerilimin maksimum oranı (8/20us) | Akım dürtüye dayanma kapasitesi. | Önerilen nominal voltaj | En yüksek enerji emici kapasitesi | |
| 4/10biz | 2ms | |||||||
| mm | mm | KV | 10kA'da | kA | A | KV | KJ/kVr | |
| MOV36.5×20 | 36.5±0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.83 | 100 | 350 | 3 | 2.5 |
| MOV36.5×30 | 36.58±0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.83 | 100 | 350 | 4.5 | 2.5 |
| MOV42×20 | 42 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.81 | 100 | 400 | 3 | 3.4 |
| MOV42×30 | 42 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.81 | 100 | 400 | 4.5 | 3.4 |
Tutuklama Sınıflandırması SL için başvuru (IEC Standartı)
| Spesifikasyon | Çapraz | Kalınlığı | DC referans voltajı (U1mA) | Geri kalan gerilimin maksimum oranı (8/20us) | Akım dürtüye dayanma kapasitesi. | Önerilen nominal voltaj | En yüksek enerji emici kapasitesi | |
| 4/10biz | 2ms | |||||||
| mm | mm | KV | 10kA'da | kA | A | KV | KJ/kVr | |
| MOV48×20 | 48 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.76 | 110 | 600 | 3 | 4.9 |
| MOV48×30 | 48 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.76 | 110 | 600 | 4.5 | 4.9 |
| MOV52×20 | 52±0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.74 | 120 | 800 | 3 | 6.3 |
| MOV52×30 | 52±0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.74 | 120 | 800 | 4.5 | 6.3 |
Tutuklama sınıflandırması için başvuru SM (IEC Standartı)
| Spesifikasyon | Çapraz | Kalınlığı | DC referans voltajı (U1mA) | Geri kalan gerilimin maksimum oranı (8/20us) | Akım dürtüye dayanma kapasitesi. | Önerilen nominal voltaj | En yüksek enerji emici kapasitesi | |
| 4/10biz | 2ms | |||||||
| mm | mm | KV | 10kA'da | kA | A | KV | KJ/kVr | |
| MOV60×20 | 60 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.72 | 150 | 1000 | 3 | 7.9 |
| MOV60×30 | 60 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.72 | 150 | 1000 | 4.5 | 7.9 |
| MOV64×20 | 64±0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4.8 | 1.69 | 150 | 1100 | 3 | 8.5 |
| MOV64×30 | 64±0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2-7.0 | 1.69 | 150 | 1100 | 4.5 | 8.5 |
